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高k + SiO2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模

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来源
《中国科学F辑》 |2019年第3期|342-360|共19页
作者
万璐绪; 杨建国; 柯导明; 吴笛; 杨菲; 陈甜;
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作者单位

安徽大学电子工程与信息学院合肥230601;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
高k + SiO2栅; FD-SOI MOSFET; 阈值电压; DIBL效应; 二维模型;

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