机译:绝缘硅上金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的背栅电压依赖性分析及其在Si单电子晶体管中的应用
Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen-machi, Akita-shi, Akita 010-8502 Japan;
silicon; silicon-on-insulator (SOI); metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET); single-electron transistor (SET); threshold voltage; back-gate voltage;
机译:具有超薄埋入氧化物的本征沟道绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压阈值电压依赖性
机译:动态阈值金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值特性的温度依赖性及其在低压运行绝对温度传感方案中的应用
机译:50nm以下双栅极绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的经验量化模型
机译:一种新的低压硅式绝缘体(SOI)CMOS互补通晶体管逻辑(CPL)电路,使用不对称动态阈值通晶晶体管(ADTPT)技术
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:调整电解质门控有机场效应晶体管中的阈值电压
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。