机译:动态阈值金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值特性的温度依赖性及其在低压运行绝对温度传感方案中的应用
Faculty of Information Sciences, Hiroshima City University, Hiroshima 731-3194, Japan;
dynamic threshold MOSFET; silicon-on-insulator; absolute-temperature sensing;
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:绝缘硅上金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的背栅电压依赖性分析及其在Si单电子晶体管中的应用
机译:基于潜在的阈值电压和用于无连接双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅模型,具有双层栅极
机译:基于垂直隧穿的隧道场效应晶体管的亚阈值特性的隔漏叠加
机译:用于低功率逻辑应用的铟镓砷化物埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:具有常关特性的反相沟道金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:分子动力学模拟在先进金属氧化物半导体场效应晶体管中的等离子体蚀刻损伤