OFF-state current (IOFF); ON-state current (ION); band-to-band tunneling (BTBT); drain-induced barrier lowering (DIBL); fringing-induced barrier lowering (FIBL); silicon TFET; subthreshold swing; tunnel field-effect transistor (TFET);
机译:间隔-漏极重叠对基于垂直隧穿的硅隧道场效应晶体管特性的影响
机译:高/低-k隔离源重叠对基于隧道电介质的隧道场效应晶体管特性的影响
机译:隧道场效应晶体管中亚阈值摆幅的意外等效氧化层厚度依赖性
机译:基于垂直隧道的隧道场效应晶体管的子漏光特性的间隔漏液依赖性
机译:III-V垂直隧道场效应晶体管,隧道与栅极字段对齐
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:源掺杂轮廓对横向和垂直隧道场效应晶体管器件特性的影响