机译:源极掺杂分布对氧化物厚度的影响对单栅和双栅隧道场效应晶体管性能的影响
机译:源掺杂对垂直INAS / INGAASSB / GASB纳米线隧道场效应晶体管性能的影响
机译:P-GaAs_(0.51)SB_(0.49)/ LN_(0.53)GA_(0.47)的性能提高为具有突然源杂质曲线的异结垂直隧道场效应晶体管
机译:基于垂直隧穿的隧道场效应晶体管的亚阈值特性的隔漏叠加
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:在多量子阱异质结构中结合横向场效应传输和垂直隧穿的二极管器件
机译:In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管的两步外延实现的性能特征:分子束外延再生的影响