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工作在动态阈值MOS的特性研究

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摘要

通过将衬底和栅极连接在一起实现了MOSFET的动态阈值,DTMOS与标准的MOSFET相比具有更高的迁移率,在栅极电压升高时DTMOS阈值电压会随之降低,从而获得了比标准的MOSFET大的电流驱动能力.DTMOS是实现低电压、低功耗的一种有效手段.

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来源
《现代电子技术》|2006年第23期|127-128130|共3页
作者
石立春;
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作者单位

西安通信学院,陕西,西安,710106;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
动态阈值; 工作特性; MOSFET; 栅极;
入库时间 2022-08-18 03:31:35

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