机译:反转通道金刚石金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管,具有常关节特性
机译:使用分子束外延-Al_2O_3 / Ga_2O_3(Gd_2O_3)作为栅极电介质的自对准反型沟道In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体场效应晶体管的dc和rf特性
机译:高温退火改善倒置型N沟道Gan金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道迁移率
机译:反转式表面通道IN_(0.53)GA_(0.47)作为金属氧化物 - 半导体场效应晶体管,具有金属栅极/高k电介质堆叠和CMOS兼容的PDGE接触
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:具有常关特性的反转通道金刚石氧化物半导体场效应晶体管