具有选择性生成的2DEG沟道的常关型HEMT晶体管及其制造方法

摘要

常关型HEMT晶体管包括：异质结构，异质结构包括沟道层和沟道层上的势垒层；异质结构中的2DEG层；与势垒层的第一区域接触的绝缘层；以及穿过绝缘层的整个厚度的栅极电极，栅极电极终止于与势垒层的第二区域接触。势垒层和绝缘层具有晶格常数的失配(“晶格失配”)，晶格常数的失配仅在势垒层的第一区域中生成机械应力，引起在位于势垒层的第一区域下方的二维传导沟道的第一部分中的第一电子浓度，第一电子浓度大于位于势垒层的第二区域下方的二维传导沟道的第二部分中的第二电子浓度。