机译:分子动力学模拟在先进金属氧化物半导体场效应晶体管中的等离子体蚀刻损伤
机译:等离子体损伤对先进的混合信号/射频金属氧化物半导体场效应晶体管技术的金属绝缘体金属电容器和晶体管的影响
机译:先进金属氧化物半导体场效应晶体管中等离子体损伤引起的阈值电压变化的综合建模
机译:硅金属氧化物半导体场效应晶体管中量子校正的蒙特卡罗和电子密度依赖的速度饱和的分子动力学模拟
机译:两步渗氮抑制带有门氧化氮的亚微米金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管(MOSFET)中的等离子体充电损伤
机译:使用场效应晶体管的无标签生物沉积的进步,并通过分子动力学模拟辅助
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生