Hong Kong University of Science and Technology (Hong Kong).;
机译:离子注入埋沟道的4H-SiC n和p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
机译:具有超薄埋入氧化物的本征沟道绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压阈值电压依赖性
机译:包含隧穿机制的单漏极埋沟型P型金属氧化物半导体场效应晶体管的电子基板和栅极电流建模
机译:埋沟型金属氧化物半导体场效应晶体管中Hooge参数的现象学反思
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有常关特性的反相沟道金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:二维Si累积通道中的电子旋转和动量寿命:在室温下演示肖特基 - 屏障旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管