具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管

摘要

通过故意将沟道－阱PN结与栅极区域短路，实现了一种没有用于背栅极的表面接触的结场效应晶体管，该晶体管实现了沟道中的两倍跨导并且具有更高的切换速度。这是通过以下方式实现的：故意刻蚀掉至少栅极区域中有源区外部的场氧化物，以便暴露出有源区的侧壁，向下直到与阱形成电接触的掩埋栅极或沟道－阱PN结。然后在沟槽中沉积多晶硅并进行重掺杂，并且使用退火步骤来将杂质驱动到沟道区域的顶部和侧壁，从而产生“包绕”栅极区域，该“包绕”栅极区域沿沟道区域的侧壁向下到达沟道－阱PN结。这使得被施加到栅极端子的偏置也被施加到阱，从而利用围绕栅极－沟道PN结和沟道－阱PN结两者的耗尽区域对沟道跨导进行调制。