The Florida State University;
机译:纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极边缘波动引起的随机阈值电压变化
机译:抑制16 NM金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管器件中随机掺杂引起的特征波动的双门方法的新结构
机译:双材料栅极方法抑制16 nm金属氧化物半导体场效应晶体管器件中的随机掺杂引起的特性波动
机译:纳米金属氧化物半导体结构中随机掺杂剂诱导阈值电压波动的量子校正模拟
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:掺杂氧化石墨烯薄片的热致向列液晶的阈值电压降低
机译:利用外延和三角形掺杂通道抑制0.1-0μm以下mOsFET中的随机掺杂剂引起的阈值电压波动
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响