环栅和双栅MOSFET短沟效应分析

摘要

基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响，并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义。