通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强

摘要

一种半导体器件，包括鳍和金属栅极膜。鳍形成在半导体材料的表面上。金属栅极膜形成在鳍上并且包括在该金属栅极膜中注入的离子以形成该金属栅极内的压缩应力。在一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括(100)晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的方向。在另一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括(100)晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的方向。鳍包括由金属栅极膜内的压缩应力生成的非平面压缩。