Doping; Silicon; Conductivity; Resistance; Electrodes; Ion implantation; Electrical resistance measurement;
机译:宽体掺杂浓度旁的超薄圆柱形环绕栅反转模式Si纳米线nMOSFET的连续电流模型
机译:具有凹陷和升高的硅化物源极/漏极接触结构的超薄体SOI MOSFET中硅化物/ Si界面的最佳位置
机译:使用窄带隙源(NBS)结构消除超薄SOI MOSFET中寄生双极引起的击穿效应
机译:掺杂超薄体SOI和Si纳米线结构的离子注入,液体和气体源的电学评估
机译:第四类(Si,Ge,Si1-xGe x)单层和异质结构纳米线的汽液相沉积生长
机译:细长银纳米线在离子液体中自组装作为软模板:电气和光学特性
机译:Be掺杂对Ga和Au辅助的GaAs基异质结构半导体纳米线的结构的影响:Be掺杂对Ga和Au辅助的GaAs基异质结构半导体纳米线的结构的影响。