机译:PH_3和AsH_3等离子体浸没离子注入形成的超浅n〜+ p结
机译:等离子体浸没离子注入掺杂的超浅结的激光激活(piii)
机译:0.1微米以下CMOS器件采用等离子浸入离子注入和激光退火的超浅P + / N结
机译:掺杂物沉积对等离子体浸没离子注入形成的p + / n和n + / p浅结的影响
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:等离子体浸没离子注入技术对金刚石中氮空位色中心浅层的工程化
机译:通过等离子体增强化学气相沉积和等离子体浸没离子注入和沉积获得的非晶态碳质薄膜的光学,机械和表面特性
机译:钴等离子体浸没离子注入和沉积对镍电池电极的表面改性