机译:等离子体浸没离子注入掺杂的超浅结的激光激活(piii)
LP3 Laboratory, UMR 6182 CNRS - Univ. de la Mediterranee, Campus de Luminy, case 917, 73288 Marseille Cedex 9, France;
laser annealing; plasma immersion ion implantation; ultra shallow junctions;
机译:0.1微米以下CMOS器件采用等离子浸入离子注入和激光退火的超浅P + / N结
机译:在等离子体浸没离子注入(PIII)系统中使用等离子体传播模型评估掺杂浓度
机译:PH_3和AsH_3等离子体浸没离子注入形成的超浅n〜+ p结
机译:与用于3D浅层掺杂的等离子体浸没注入相关的纳米结构超短脉冲激光:在硅光伏结构中的应用
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:等离子体浸没离子注入技术对金刚石中氮空位色中心浅层的工程化
机译:通过等离子体浸没离子注入(PIII)以前原位磷掺杂多晶硅膜:控制和简化钝化触点集成