机译:PH_3和AsH_3等离子体浸没离子注入形成的超浅n〜+ p结
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA 94720, USA;
机译:AsH_3等离子体浸没注入形成的超浅n〜+ p结的电学特性
机译:AsH_3表面处理对改善超浅区域选择性再生GaAs侧壁隧道结的影响
机译:气体浸入式激光掺杂(GILD)用于形成超浅结
机译:等离子体浸没注入形成的超浅结的电学特性
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:细胞粘附的等离子聚合的烯丙胺涂层降低了等离子浸入铜离子注入修饰的Ti6Al4V引起的体内炎症反应。
机译:B18H22离子注入形成超浅结