慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行火

摘要

用慢正电子探针分别检测了Ｐ＾注入和Ｐ２＾＋注入Ｓｉ（１００）的两组样品，与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布，陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＾＋和Ｐ２＾＋注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。