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孙Jing兰; 陈建新;
不详;
离子注入; P-Si; 空穴缺陷; DLTS; 退火;
机译:使用高分辨率DLTS对离子注入硅中的团簇缺陷进行退火研究
机译:铝离子注入和1950℃退火的p-i-n 4H-SiC垂直二极管的DLTS研究
机译:高分辨率DLTS研究辐照和离子注入n型硅中与空位有关的缺陷
机译:正电子an没研究离子注入硅晶体中缺陷的产生和退火机理
机译:通过离子注入在固体中产生浅光学缺陷=通过离子注入在固体中的浅光学防御性
机译:等离子体浸入He +离子注入和后续热退火后的Si表面层的微观结构
机译:N +离子注入和快速热退火的Si(100)晶片的光学特性,通过光谱椭圆偏振法研究
机译:al sub 2 O sub 3,siC和si sub 3 N sub 4中金属的离子注入,离子束混合和退火研究
机译:离子注入可抑制退火的SiGe层中的缺陷
机译:离子注入用于抑制退火SiGe层中的缺陷
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