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Symposium on rapid thermal and integrated processing
Symposium on rapid thermal and integrated processing
召开年:
1997
召开地:
San Francisco, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Rapid thermal processing: when will it replace batch processing?
机译:
快速热处理:何时更换批处理?
作者:
M.F.Pas
;
S.D.Pas
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
2.
Enabling thermal processing of high and low dieflectric constant materials
机译:
实现高和低Dieflectric恒定材料的热处理
作者:
R.P.S.Thakur
;
S.J.DeBoer
;
R.Singh
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
3.
Low temperature Si oxidation with excimer lamp sources
机译:
用准分子灯源低温Si氧化
作者:
Ian W.Boyd
;
Jun-Ying Zhang
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
4.
Ultra low thermal budget rapid thermal processing for thin gate oxide dielectrics: reduction of suboxide transition regions in low temperature processed Si/SiO_2 structures by a 900 deg C 30 second rapid thermal anneal
机译:
超低热预算快速热加工,用于薄栅极氧化物电介质:通过900℃30秒快速热退火的低温处理Si / SiO_2结构中的亚穷星过渡区域的减少
作者:
G.Lucovsky
;
B.Hinds
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
5.
Physical and electrical properties of defects formed in rapid thermal processing
机译:
快速热处理中形成的缺陷的物理和电性能
作者:
Yukio Takano
;
Katsunori Kakumoto
;
Tomoya Funakoshi
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
6.
Rapid thermal process requirements for hte annealing of ultra-shallow junctions
机译:
超浅线切口退火的快速热处理要求
作者:
Daniel Downey
;
Sonu L.Daryanani
;
Marylou Meloni
;
Kristen M.Brown
;
Susan B.Felch
;
Brian S.Lee
;
Steven D.Marcus
;
Jeff Gelpey
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
7.
Temperature measurement isues in rapid Thermal processing
机译:
快速热处理中的温度测量问题
作者:
D.P.DeWitt
;
F.Y.Sorrell
;
J.K.Elliott
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
8.
Benefits and limitations of radiatively heated suszeptors
机译:
辐射加热塞枯病的益处和局限性
作者:
A.Kersch
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1997年
9.
A Novel Low Temperature Self-Aligned Ti Silicide Technology for Sub-0.18#mu#m CMOS Devices
机译:
一种新的低温自对准Ti硅化物技术,用于Sub-0.18#mu#M CMOS器件
作者:
L.P.Ren
;
P.Liu
;
g.Z.Pan
;
Jason C.S.Woo
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
10.
Improved Thermal Stability of CVD WSi_x During Furnace Oxidation by a Rapid Thermal Anneal PRetreatment
机译:
通过快速热退火预处理在炉氧化过程中提高CVD WSI_x的热稳定性
作者:
Alain P.Blosse
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
11.
Meeting RTP Temperature Accuracy Requirements: Measurement and Calibratiosn at NIST
机译:
满足RTP温度精度要求:NIST的测量和Calibratiosn
作者:
F.J.Lovas
;
B.K.Tsai
;
C.E.gibson
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
12.
The Two-Step Rapid Thermal Annealing Effect of the Prepatterned a-Si Films
机译:
预换料A-Si薄膜的两步快速热退火效果
作者:
Kee-Chan Park
;
Kwon-Young Choi
;
Min-Cheol Lee
;
Min-Koo Han
;
Chan-Eui Yoon
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
13.
RTP Calibration Wafer Using Thin-Film Thermocouples
机译:
使用薄膜热电偶的RTP校准晶片
作者:
K.G.Kreider
;
D.P.Dewitt
;
B.K.Tsai
;
F.J.Lovas
;
D.W.Allen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
14.
Growth and characterization of Thin Wet Oxides Grown by Rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理生长薄湿氧化物的生长和表征
作者:
R.Sharangpani
;
J.Das
;
S.P.Tay
;
R.P.S.Thakur
;
T.C.Yang
;
K.C.Saraswat
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
15.
Issues in Emissivity of Silicon
机译:
硅发射率的问题
作者:
S.Abedrabbo
;
J.C.hensel
;
O.H.Gokce
;
F.M.Tong
;
B.Sopori
;
A.T.Fiory
;
N.M.Ravindra
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
16.
Evaluation of 2.0nm Grown and Deposited Dielectrics in 0.1#mu#m PMOSFETs
机译:
在0.1#mu#m Pmosfets中评估2.0nm种植和沉积电介质
作者:
A.Srivastava
;
H.H.Heinisch
;
E.Vogel
;
C.Parker
;
C.M.Osburn
;
N.A.Masnari
;
J.J.Wortman
;
J.R.Hauser
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
17.
Iron-Silicate Glassy Films by Sol-Gel Conversion Induced by Rapid Thermal Processing
机译:
通过快速热加工诱导的溶胶 - 凝胶转化硅酸盐玻璃膜
作者:
Rene E.Van De Leest
;
Fred Roozeboom
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
18.
The Effects of Small Concentrations of Oxygen in RTP Annealing of low Energy Boron, BF_2 and Arsenic Ion Implants
机译:
小浓度氧气对低能硼,BF_2和砷离子植入物的影响
作者:
Daniel F.Downey
;
Judy W.Chow
;
Wilfried Lerch Juergen Niess
;
Steven D.marcus
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
19.
Characterization of Low Energy Boron Implantation and Fast Ramp-Up Thermal Annealing
机译:
低能量硼植入和快速升温热退火的表征
作者:
E.J.H.Collart
;
G.de Cock
;
A.J.Murrell
;
M.A.Foad
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
20.
Rapid Thermal Processes for future Nanometer MOS Devices
机译:
未来纳米MOS器件的快速热过程
作者:
John R.Hauser
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
21.
Comparison of the Performance of Single Wafer and Batch Systems for Identical Processes
机译:
单晶片和批量生产的比较相同过程的性能
作者:
T.Claasen
;
R.Van Driel
;
A.Hasper
;
S.Radelaar
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
22.
Novel Applicatiosn of Rapid Photothermal Chemical Vapor Deposition
机译:
快速光热化学气相沉积的新应用
作者:
R.Singh
;
V.Parihar
;
Y.Chen
;
K.F.Poole
;
S.DeBoer
;
R.P.S.Thakur
;
R.Sharangpani
;
P.K.Vasudev
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
23.
Emissivity of Coated Silicon at Elevated Temperature
机译:
升高温度下涂层硅发射率
作者:
H.Rogne
;
H.Ahmed
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
24.
Simulation of Rapid Thermal Annealed Boron Ultrashallow Junctions in Inert and Oxidizing Ambient
机译:
快速热退火的硼超慢性连接在惰性和氧化环境中的模拟
作者:
W.Lerch
;
M.Glueck
;
N.A.Stolwijk
;
H.Walk
;
M.Schaefer
;
S.D.Marcus
;
D.F.Downey
;
J.W.Chow
;
H.Marquardt
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
25.
Advances in RTP Temperature Measurement and Control
机译:
RTP温度测量和控制进展
作者:
Bruce Peuse
;
Gary Miner
;
Mark Yam
;
Curtis Elia
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
26.
Selective Oxidation of Si in the Presence of W and WN
机译:
在W和WN存在下Si的选择性氧化
作者:
Boyang Lin
;
Ming Hwang
;
Jiong-Ping Lu
;
Wei-Yung Hsu
;
Mike Pas
;
Joe Piccirillo
;
Gary Miner
;
Kathy OConnor
;
Gary Xing
;
Dave Lopes
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
27.
Facet Free Selective Silicon Epitaxy by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
机译:
方面通过快速热化学气相沉积自由选择性硅外延
作者:
Katherine E.Violette
;
Rick Wise
;
Chih-Ping chao
;
Sreenath Unnikrishnan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
28.
Process Design and Itnegration of Salicide and Source/Drain Process Modules for Improved Device Performance
机译:
Paticide的过程设计和Itnegration及源/排水过程模块,可提高设备性能
作者:
Pushkar P.Apte
;
Sharad Saxena
;
Suraj Rao
;
Karthik Vasanth
;
Douglas A.Prinslow
;
Jorge A.Kittl
;
Terence Breedijk
;
Gordon Pollack
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
29.
Evaluation and Comparison of 3.0nm Gate-Stack Dielectrics for Tehth-Micron Technology NMOSFETs
机译:
3.0nm栅极堆叠电沸器NMOSFET的评价与比较
作者:
K.F.Yee
;
C.M.Osburn
;
N.A.Masnari
;
J.R.Hauser
;
C.G.Parker
;
G.Lucovsky
;
W.K.Henson
;
J.J.Wortman
;
T.Kippenberg
;
s.Kuerschner
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
30.
A Study of Transistor Optimization in a 0.25 Micron CMOS Flow Using Soruce/Drain and Silicide Process Modules and their Interactions
机译:
利用SORUCE /漏极和硅化物处理模块及其相互作用研究0.25微米CMOS流动晶体管优化研究及其相互作用
作者:
K.Vasanth
;
P.Apte
;
J.Davis
;
S.Saxena
;
R.Burch
;
S.Rao
;
R.K.Mozumder
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
31.
In-Line Ambient Impurity Measurement on a Rapid Thermal Process Chamber by Atmospheric Pressure Ionization Mass Spectrometry
机译:
通过大气压电离质谱法在快速热处理室内在线环境杂质测量
作者:
Eiichi Knodoh
;
Guy Vereecke
;
Marc M.Heyns
;
Karen Maex
;
Thomas Gutt
;
Zsolt Nenyei
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
32.
Laser Ultrasonic Instrumentation for Accurate Temperature Measurement of Silicon Wafers in Rapid Thermal Processing Systems
机译:
激光超声波仪器,用于快速热处理系统中硅晶片的精确温度测量
作者:
Dan Klimek
;
Brian Anthony
;
Agostino Abbate
;
Petros Kotidis
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
33.
Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10#mu#m CMOS
机译:
Ti和Co自对准硅化物RTP的优化0.10#mu#M CMOS
作者:
J.A.Kittl
;
Q.Z.Hong
;
H.Yang
;
N.Yu
;
M.Rodder
;
P.P.Apte
;
W.T.Shiau
;
C.P.Chao
;
T.Breedijk
;
M.F.Pas
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
34.
Partial Transparency Effects of Silicon During rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理过程中硅的局部透明度效应
作者:
A.R.Abramson
;
H.Tada
;
P.Nieva
;
P.Zavracky
;
I.N.Miaoulis
;
P.Y.Wong
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
35.
A Comparison of MOS Devices with In Situ Boron doped Polysilicon and Poly-SiGe Gates Deposited in an RTCVD System using Si_2H_6 and B_2H_6 Gas Mixture
机译:
使用Si_2H_6和B_2H_6气体混合物在RTCVD系统中具有沉积在RTCVD系统中的原位硼掺杂多晶硅和聚光栅极的MOS装置的比较
作者:
M.R.Mirabedini
;
V.Z-Q.Li
;
A.R.Acker
;
R.T.Kuehn
;
D.Venables
;
M.C.Oeztuerk
;
J.J.Wortman
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
36.
SiGe Heteroepitaxy for High Frequency Circuits
机译:
高频电路的SiGe异腔
作者:
B.Tillack
;
D.Bolze
;
G.Fischer
;
G.Kissinger
;
D.Knoll
;
G.Ritter
;
P.Schley
;
D.Wolansky
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
37.
The Effect of Chamber Components on Wafer Temperature Response in an RTP Systems
机译:
腔室部件对RTP系统晶片温度响应的影响
作者:
N.Acharya
;
P.J.Timans
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
38.
Nitrogen Profile Engineering in Thin Gate Oxides
机译:
薄栅氧化物中的氮素谱谱
作者:
J.Kuehne
;
S.Hattangady
;
J.Piccirilo
;
G.C.Xing
;
G.Miner
;
D.Lopes
;
R.Tauber
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
39.
RTP Temperature Measurements Using Si Grating Prepared by Laser Ablation for Large diameter Wafer Applications
机译:
RTP温度测量使用Si光栅通过激光烧蚀为大直径晶片应用而制备
作者:
C.W.Liu
;
M.H.Lee
;
C.Y.Chao
;
C.Y.Chen
;
C.C.Yang
;
Y.Chang
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
40.
Beyond Thermal Budget: Using D.t in Kinetic Optimization of RTP
机译:
超越热预算:使用rtp的动力学优化中的d.t
作者:
R.Ditchfield
;
E.G.Seebauer
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
41.
Residual Gases and Their Influence on Processes in the Atmospheric Rapid Thermal Processing Equipment
机译:
剩余气体及其对大气快速热加工设备过程的影响
作者:
Yao Zhi Hu
;
Sing Pin Tay
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
42.
On the Entrance Effects and the Influence of Buoyancy Forces on the Fluid Flow in RTP Reactors
机译:
关于入口效应和浮力力对RTP反应器流体流动的影响
作者:
Yu.P.Rainova
;
K.I.Antonenko
;
J.Pezoldt
;
A.Schenk
;
G.Eichhorn
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
43.
New Approaches for formation of Ultra-Thin Ptsi Layers for Infrared Applications
机译:
用于形成红外应用超薄PTSI层的新方法
作者:
R.A.Donaton
;
S.Jin
;
H.Bender
;
M.Zagrebnov
;
K.Baert
;
K.Maex
;
A.Vantomme
;
G.Langouche
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
44.
Bandgap Shifting of an Ultra-Thin InGaAs/InP quantum Well Infrared Photodetector via Rapid thermal Annealing
机译:
通过快速热退火的短纤维/ InP量子孔红外光电探测器的带隙变换
作者:
D.K.Sengupta
;
S.Kim
;
H.C.Kuo
;
A.P.Curtis
;
K.C.Hsieh
;
S.G.Bishop
;
M.Feng
;
G.E.Stillman
;
S.D.Gunapala
;
S.V.Bandara
;
Y.C.Chang
;
H.C.Liu
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
45.
Difference Between Wafer Temperature and Thermocouple Reading during Rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理过程中晶片温度与热电偶读数的差异
作者:
T.Borca-Tasciuc
;
D.A.Achimov
;
G.Chen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
46.
Model Based Temperature control in RTP Yielding +-0.1 deg C Accuracy on a 1000 deg C, 2 Second, 100 deg C/s Spike Anneal
机译:
基于模型的RTP温度控制率为1000°C,2秒,100°C / S截止值的+ -0.1°C精度。
作者:
Peter Vandenabeele
;
Wayne Renken
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
47.
Chemical Stability of Advanced Metal Gate and Ultra-Thin Gate Dielectric Interface During Rapid Thermal Annealing
机译:
快速热退火期间先进金属栅极和超薄栅极介质界面的化学稳定性
作者:
B.Claflin
;
M.Binger
;
G.Lucovsky
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
48.
Calibration of Wafer Temperature to NIST Traceable Standards Using an Isothermal Cavity
机译:
使用等温腔校准晶片温度的NIST可追踪标准
作者:
Peter Vandenabeele
;
Wayne Renken
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
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