silicon helium-filled bubbles plasma-immersion ion implantation;
机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:InP中He +注入及其后续退火效应的研究
机译:通过两步离子注入和随后的热退火工艺制备的Si_(1-x)Ge_x层中的SiGe纳米团簇的演化和微缺陷
机译:通过He +离子注入和退火制成的在Si和SOI上的薄应变松弛SiGe缓冲层
机译:离子注入硅的热退火过程中的磷缺陷相互作用。
机译:Zn注入的Si(001)衬底表面层热退火后的缺陷结构转变
机译:PTAW对H13钢结构上Ni60 / WC复合层的退火组织和热疲劳性能