X-ray diffraction ion implantation radiation-induced defects silicon;
机译:Zn注入的Si(001)衬底表面层热退火后的缺陷结构转变
机译:硅基底上超薄MoO_3层的原子层沉积和生长后热退火:表面纳米结构的形成
机译:通过快速热退火降低在Si(001)衬底上生长的ge外延层中的螺纹位错密度
机译:GaAs(001)衬底上InAs层表面结构的扫描隧道显微镜
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:等离子体浸入He +离子注入和后续热退火后的Si表面层的微观结构
机译:在表面等离子体共振分析中在玻璃基板上生产高附着力Au层的新方法:用Ag层代替Cr或Ti中间层,然后进行最佳退火处理
机译:不同退火周期的si(211)衬底上生长的CdTe外延层缺陷的共焦micro-pL映射。