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徐至中;
复旦大学物理系;
量子阱; 势垒高度; 畸变势常数; 电子能带; 能带结构;
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.8)薄膜中边缘失配位错的形成:薄膜退火前后的特征
机译:朝(111)方向偏转的Si(001)衬底上的Ge_xSi_(1-x)(x 0.4-0.5)薄膜的异质外延:仅在偏转方向上形成短边失配位错
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.5)薄膜中边缘失配位错的形成
机译:Ge_xSi_(1-x)/(001)Si异质结构中点缺陷聚集的原位HREM辐照研究
机译:砷化镓/铝(x)-砷化镓(1-x)量子阱激光器通过分子束外延生长在砷化镓和硅上。
机译:界面电荷转移和有效终止可见光辐射下(ZnO)(1-x)/ 2(Bi2O3)x(Dy2O3)(1-x)/ 2异质结构纳米复合材料的电子复合过程
机译:用于光电子和热电子学的Si(111)衬底上的Mg(2)Si(x)Sn(1-x)异质结构
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
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