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徐至中;
复旦大学物理系;
带间光跃迁; 振子强度; 应变处延层; 砷化镓; 生长;
机译:评论“使用Si〜+预离子注入到Si衬底上以增强Ge_xsi_(1-x)变质缓冲层的应变弛豫,以在Si衬底上生长Ge层” [应用物理来吧90,083507(2007)]
机译:(110)衬底上应变In_xGa_(1-x)As / GaAs和无应变GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子点的电子和光学性质
机译:通过MOVPE在GaAs衬底上生长的In_xGa_(1-x)As应变层的结构和光学性质
机译:通过分子束外延在GaAs(001)衬底上生长在GaAs(001)底物上生长的碳掺杂立方GaN癫痫碳的光学性质
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:在变质缓冲层的结构性质和形态的优化 - = sub = -x - = / sub = -al-= sub = -1-x - = / sub = -1-x - = / sub = - 通过在GaAs上的分子束外延生长的组合物(x = 0.05-0.83)的组合物的根谱(001)
机译:Gaas(001)衬底取向偏向(111)对In(x)Ga(1-x)as / Gaas光学性质的影响
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有修饰的Al x Sub> Ga 1-x Sub> As停止层的GaAs衬底上的半导体晶体管纳米异质结构
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
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