机译:在变质缓冲层的结构性质和形态的优化 - = sub = -x - = / sub = -al-= sub = -1-x - = / sub = -1-x - = / sub = - 通过在GaAs上的分子束外延生长的组合物(x = 0.05-0.83)的组合物的根谱(001)
机译:通过在GaAs上通过MBE生长的(x = 0.05-0.83)(x = 0.05-0.83)在GaAs(001)上生长的(x = 0.05-0.83)的结构特性和表面形态的优化
机译:的结构特性和变质缓冲层In_xAl_(1-X)的表面形态与在组合物中的根轮廓的变化(X = 0.05-0.83),通过分子束外延在GaAs上生长的最优化(001)
机译:MOVPE在(001)GaAs衬底上沉积的应变异质外延In(1-x)Al-(x)P层的缺陷结构
机译:MBE在富含和氮生长条件下通过MBE生长的GAAs(001)的结构调查
机译:晶格 - 失配GaAs(001)的应变弛豫机制和界面缺陷的研究 - 基于异质结构
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:“布拉格”电子人口格栅,室内在异质结构Al-= -X - = /子= -ga-= sub = -1-x - = / sub = -As-Gaas-al- = sub = -x - = / sub = -ga- = sub = -1-x - = / sub = - 它自己受刺激的picoSecond辐射
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数