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徐至中;
复旦大学表面物理实验室;
硅衬底; 电子能带结构; 锗硅合金;
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.8)薄膜中边缘失配位错的形成:薄膜退火前后的特征
机译:朝(111)方向偏转的Si(001)衬底上的Ge_xSi_(1-x)(x 0.4-0.5)薄膜的异质外延:仅在偏转方向上形成短边失配位错
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.5)薄膜中边缘失配位错的形成
机译:MgO(001)衬底上生长的Mn_xSc_(1-x)合金的分子束外延反射高能电子衍射和原子力显微镜研究
机译:Si(001),GaP(001)衬底上铟磷有机化合物气体的吸附和分解过程研究
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
机译:用于光电子和热电子学的Si(111)衬底上的Mg(2)Si(x)Sn(1-x)异质结构
机译:在si(001)上假晶生长的si(sub 1(minus)y)C(sub y)合金的光谱椭圆率和能带结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
机译:由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
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