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杨中芹; 徐至中; 张开明;
复旦大学李政道物理实验室;
紧束缚近似; 直接能隙; 能带结构; 半导体;
机译:GaP1-xNx和GaP1-x-yNxAsy层通过分子束外延生长在GaP和Si衬底上的异质结构的光致发光
机译:GaP_(1_x)N_x和GaP_(1-x-y)N_xAS_y层通过分子束外延生长在GaP和Si衬底上的异质结构的光致发光
机译:金属有机汽相外延生长在取向错误的Si(001)衬底上生长的GaP层中的晶格弛豫过程和晶体学倾斜
机译:(In,Ga)As / GaP量子点和(GaAsPN / GaPN)稀释的氮化物纳米层的结构和光学性质相干生长在GaP和Si衬底上,用于光子学和光伏应用
机译:Si(001),GaP(001)衬底上铟磷有机化合物气体的吸附和分解过程研究
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上的AlN纳米壁结构
机译:在si(001)上假晶生长的si(sub 1(minus)y)C(sub y)合金的光谱椭圆率和能带结构
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有修饰的Al x Sub> Ga 1-x Sub> As停止层的GaAs衬底上的半导体晶体管纳米异质结构
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