机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.5)薄膜中边缘失配位错的形成
Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Prospect Lavrent'eva 13, 630090 Novosibirsk, Russian Federation;
A1. Line defects; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.8)薄膜中边缘失配位错的形成:薄膜退火前后的特征
机译:在(111)方向上取向不正确的Si(001)衬底上的Ge(x)Si1-x(x类似于0.4-0.5)薄膜的异质外延:短边失配位错仅在取向方向上形成
机译:(001)的Si衬底取向不良导致Ge_xSi_(1-x)/ Si(x〜0.4-0.5)薄膜中60°和90°失配位错的形成和传播特征
机译:低误操作GE_XSI_(1-X)/ SI(001)接口处的爬升/滑移位错源
机译:通过有限反应处理在硅(1-x)锗(x)应变层中形成错配位错
机译:脉冲激光沉积生长的(001)和(111)取向钙钛矿高铁酸盐薄膜的外延结构
机译:在si衬底上外延生长的(001)和(111)Cu膜的平滑化
机译:在未对准的Gaas(001)衬底上研究mBE生长的InGaas层中的错配位错构型