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Ge_xSi_（1－x）／Si（001）量子阱的电子结构及光跃迁

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摘要

采用包络函数方法及Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型计算了量子阱ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（００１）的电子结构．对量子阱的光跃迁几率进行了估算，并讨论了量子阱参数的最佳选择．

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来源
《半导体学报》 |1994年第9期|588-595|共8页
作者
徐至中;
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作者单位

复旦大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类 O741.1;
关键词
量子阱; 电子结构; 光跃迁; 硅; 硅化锗;

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