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张博; 王建宝; 刘晓晗; 龚大卫; 陆方; 孙恒慧;
复旦大学李政道物理综合实验室;
亚稳态; 量子阱; 缺陷; 锗; 硅;
机译:Ge_xSi_(1-x)/ Si单量子阱的电致发光光谱
机译:Si / Ge_xSi_(1-x)/ Si量子阱中的层间光学跃迁
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:使用具有高k /金属栅叠层和可加单轴应变的Si / Si 1-x inf> Ge x inf> / Si量子阱的高性能pMOSFET,用于22 nm技术节点
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:Ge / Si量子阱的结构电子和光学性质:波长为1550 nm的激光发射
机译:平行磁场在a中产生强负磁阻 宽p-Ge_ {1-x} si_x / Ge / p-Ge_ {1-x} si_x量子阱
机译:si(1-x)Ge(x)/ si多量子阱中的子带间吸收
机译:缺陷多量子阱结构,用于通过沿缺陷多量子阱结构进行电场空间分布的光学控制而实现的光的反射和透射
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:单轴变形量子阱装置的生产方式,特别是单轴变形量子阱装置
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