InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构

摘要

本发明公开了一种InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构，从上到下依次包括GaAs盖层、AlGaAs上势垒层、GaAs上插入层、InGaAs势阱层、GaAs下插入层、AlGaAs下势垒层、GaAs缓冲层、GaAs(100)晶向偏(110)2°的N型衬底。本发明解决了波长为900‑950nm附近的半导体激光器有源区材料体系中InGaAs/GaAs中GaAs禁带宽度小的问题。