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ELECTROLUMINESCENCE SPECTRA OF Ge_xSi_(1-x)/Si SINGLE QUANTUM WELL

机译:Ge_xSi_(1-x)/ Si单量子阱的电致发光光谱

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摘要

The electroluminescence of Ge_xSi_(1-x)/Si single quantum well was measured at temperatures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved.
机译:在高于室温的温度下沿着生长方向和垂直于该方向的方向测量Ge_xSi_(1-x)/ Si单量子阱的电致发光。 TO和NP峰已分离。

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