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机译:Ge_xSi_(1-x)/ Si单量子阱的电致发光光谱
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:Ge_xSi_(1-x)固溶体表面上的Ge和Ge_xSi_(1-x)岛形成
机译:Ge_xSi_(1-x)/ Sn / Si和Ge_(1-y)Sn_y / Si系统中从2D到3D生长的临界转变厚度以及量子点形成的特殊性
机译:Si / Ge_xSi_(1-x)HBT,具有通过高剂量Ge注入Si形成的Ge_xSi_(1-x)基
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:用于闪烁的Lu2(1-x)Y2xSiO5(LYSO)单晶的缺陷识别和退火效果
机译:弱耦合单分子结中的电致发光光谱
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究