压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

王茺; 陈平平; 周旭昌; 夏长生; 王少伟; 陈效双; 陆卫

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

团队文献服务 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.

著录项

来源
《物理学报》 |2005年第7期|3337-3341|共5页
作者
王茺; 陈平平; 周旭昌; 夏长生; 王少伟; 陈效双; 陆卫;
展开▼
作者单位

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学 ;
关键词
压电调制反射光谱; 单量子阱; 分子束外延 ;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. GaAs/AlGaAs量子阱空间差分光调制反射光谱研究 [J] . 代作晓 ,赵明山 ,陆书龙 . 光电子．激光 . 2000 ,第4期
2. In0.2Ga0.8As/GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究 [J] . 陈辰嘉 ,高蔚 ,米立志 . 红外与毫米波学报 . 1995 ,第004期
3. GaInNAs／GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱 [J] . 梁晓甘 ,潘钟 ,等 . 半导体学报 . 2002 ,第012期
4. GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱 [J] . 代作晓 ,陆书龙 ,赵明山 . 半导体学报：英文版 . 2000 ,第11期
5. 应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究 [J] . 潘士宏 ,刘毅 ,张存洲 . 半导体学报：英文版 . 1992 ,第6期
6. GaAs／AlGaAs量子阱空间差分光调制反射光谱研究 [C] . 赵明山 . 第九届全国凝聚态光学性质学术会议 . 1998
7. InGaAs/GaAs应变量子阱不同结构和生长方式对荧光光谱影响的研究 [A] . 张威威 . 2010

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅