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周慧英; 曲胜春; 刘俊朋; 王占国;
中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083;
离子注入; 铟离子; 各向异性; 扩散;
机译:在(001)GaAs衬底上的ZnTe缓冲层上生长的Cd_xZn_(1-x)Te外延层中CuPt型有序结构的形成
机译:GaAs中Mn注入形成的铁磁纳米团簇
机译:关于表面AU液滴和Au / Ga / O簇在GaAs衬底上分离的Au岛/条的径向扩散的Ga_xO_y纳米材料的距离方向生长在GaAs衬底上的分离的Au岛/条外扩散
机译:(001)GaAs衬底在射频等离子体辅助分子束外延对立方GaN的影响(001)GaAs衬底对氢气的影响
机译:通过碳化和单晶衬底的离子注入开发碳化硅衬底。
机译:有序的纳米团簇的形成控制钙粘着蛋白对肌动蛋白的锚定和细胞间的接触流动性
机译:锰注入Gaas形成的铁磁纳米团簇
机译:结构和磁性在Gaas中通过mn离子注入形成的mnas纳米团簇
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:用受控量的稀有气体离子注入半导体衬底,以减少随后注入到衬底中以形成PMOS器件的P-LDD区域的硼掺杂剂的沟道和/或扩散
机译:使用掩模形成集成电路以向衬底中与其隔离区域相邻的部分提供离子注入屏蔽的方法以及使用该掩模形成的集成电路
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