机译:通过两步离子注入和随后的热退火工艺制备的Si_(1-x)Ge_x层中的SiGe纳米团簇的演化和微缺陷
General Research Institute for Non-ferrous Metals, Beijing 100088, China;
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CRINM Semiconductor Materials Co. Ltd., Beijing 100088, China;
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Si_(1-x)Ge_x; nanoclusters; micro defect; ion implantation; annealing;
机译:高温退火过程中砷离子注入的Si_(1-x)Ge_x外延层的损伤去除和缺陷控制
机译:快速热退火后Si(100)上外延薄Si_(1-x)Ge_x层中Ge扩散和Si应力变化的显微拉曼表征
机译:离子注入和后续退火工艺制备的Si / Si_(1-x)Ge_x / Si结构的应力松弛
机译:在Si(001)衬底上的HE〜+ -implanted和退火的Si_(1-x)Ge_x层的应变弛豫机制
机译:离子注入硅的热退火过程中的磷缺陷相互作用。
机译:等离子体浸入He +离子注入和后续热退火后的Si表面层的微观结构
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型