Cutoff frequency; Doping; Logic gates; MOSFET; Plasmas; Semiconductor process modeling; Silicon; Charge plasma; SOI; cutoff frequency; dual oxide; subthreshold slope;
机译:新型线性梯度二元金属合金栅极无结双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压建模和性能比较
机译:沟道长度定标和金属栅极功函数对双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响
机译:沟道长度定标和金属栅极功函数对双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响
机译:高性能双栅极多瓦无铅金属氧化物半导体效应晶体管
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:互补金属氧化物半导体图像传感器使用栅极/体绑住的P沟道金属氧化物半导体效果晶体管型光电探测器,用于高速二进制操作
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)