Annealing; Electron traps; Iron; Logic gates; Semiconductor device measurement; Silicon carbide; Temperature measurement; 4H-SiC; field effect mobility; nitrided oxide;
机译:在带有栅极场板的高纯度半绝缘4H-SiC衬底上实现的高压横向双注入MOSFET
机译:Fowler-Nordheim注入在n型4H-SiC上生长的非氮化栅氧化物中的分析
机译:掺磷和氮化栅极氧化物的4H-SiC MOSFET的阈值电压不稳定性
机译:在4H-SiC期间,在4H-SiC注入和4H-SIC侧向双植入MOSFET中的4H-SIC中没有氮化栅极氧化物的电荷积聚。
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:具有氮化栅极氧化物的3C和4H-SiC MOS电容器的电荷俘获特性
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)