机译:沟槽底部屏蔽区对4H-SiC双沟道MOSFET开关特性的影响
机译:具有低导通电阻和开关损耗的改进型4H-SiC沟道栅MOSFET
机译:基于异质结的SiC功率双沟槽MOSFET,具有改善的开关性能和反向恢复
机译:沟槽底部屏蔽区域对4H-SIC双沟MOSFET开关特性的作用
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸,用于改善开关特性
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)