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全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs　MESFET技术研究

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本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ．

著录项

来源
《半导体学报：英文版》|1996年第1期|27-34|共8页
作者
高玉芝; 张利春; 尹红坤; 宁宝俊;
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作者单位

北京大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
MESFET; 砷化镓; 全离子注入; 场效应晶体管;

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