机译:在黑暗和光照条件下亚微米栅长离子注入GaAs MESFET的电流(I)-电压(V)特性的分析模型
Centre for Research in Microelectronics (CRME), Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology, (Banaras Hindu University), Varanasi 221005, India|c|;
机译:在黑暗和光照条件下使用常关GaAs MESFET的DCFL逆变器的分析模型
机译:离子注入短沟道GaAs金属半导体场效应晶体管在黑暗和光照条件下的栅极-源极和栅极-漏极电容的二维分析模型
机译:离子注入GaAs MESFET的夹断电压评估的分析模型
机译:在黑暗和光照条件下离子注入的短栅长GaAs MESFET的阈值电压模型
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:双层MEH-PPV / TiO2光电器件的光电流-电压特性分析模型
机译:暗和光照条件下的短栅长离子注入GaAs Mesfets的二维(2D)电势分布模型
机译:栅极漏极几何对Gaas mEsFET电流电压特性的影响。