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选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究

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摘要

主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.

著录项

来源
《应用科学学报》|2006年第6期|577-581|共5页
作者
陆生礼; 丁勇; 时龙兴;
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作者单位

东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光学性质;
关键词
旁栅效应; 特性; 沟道-衬底结; EL2碰撞电离;
入库时间 2022-08-17 10:10:59

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