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毛剑波; 易茂祥; 丁勇;
合肥工业大学应用物理系;
GaAs; MESFET; 旁栅效应; 迟滞特性; 沟道衬底结; 电子陷阱;
机译:分析表面状态和碰撞电离对窄凹栅GaAs FET的击穿特性和栅滞现象的影响
机译:基于伪形AlGaAs-InGaAs-GaAs异质结构的栅区参数对微波场效应晶体管静态特性的影响研究
机译:分析表面状态对凹栅和埋栅GaAs MESFET中栅滞现象的影响
机译:具有可调功函数的双层金属栅电极:行为,机理和器件特性。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声
机译:Gaas / alGaas这种结栅场效应晶体管。
机译:用于全栅栅晶体管的GaAs上的准同晶InGaAs
机译:形成环绕栅(GAA)FinFET的方法和由此形成的GAA FinFET
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