机译:离子注入短沟道GaAs金属半导体场效应晶体管在黑暗和光照条件下的栅极-源极和栅极-漏极电容的二维分析模型
Centre for Research in Microelectronics (CRME), Department of Electronics Engineering,Institute of Technology, Banaras Hindu University, Varanasi, 221005, India;
Centre for Research in Microelectronics (CRME), Department of Electronics Engineering,Institute of Technology, Banaras Hindu University, Varanasi, 221005, India;
机译:在黑暗和光照条件下亚微米栅长离子注入GaAs MESFET的电流(I)-电压(V)特性的分析模型
机译:在黑暗和光照条件下使用常关GaAs MESFET的DCFL逆变器的分析模型
机译:短沟道AlGaAs / GaAs HFET的二维分析亚阈值行为模型
机译:在黑暗和光照条件下离子注入的短栅长GaAs MESFET的阈值电压模型
机译:暗和光照条件下的短栅长离子注入GaAs Mesfets的二维(2D)电势分布模型
机译:Cs1:短沟道mOs晶体管的二维有限元电荷片模型