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Jaeheon Han; 赵立芳;
AlGaAs; GaAs; HEMT; 亚微米;
机译:InAs纳米点作为浮栅的亚微米级AlGaAs / GaAs场效应晶体管中的电子传输
机译:超亚微米栅极AlGaAs / GaAs HEMT
机译:以液相氧化的AlGaAs作为栅介质的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:基于工业伪晶AlGaAs / InGaAs / AlGaAs异质结构的非对称双栅栅探测器
机译:具有高纵横比和低传输损耗的GaAs / AlGaAs亚微米级波导,用于波长转换。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声
机译:alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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