法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20200428
实质审查的生效
2020-07-17
公开
公开
机译: 在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译: 在沟道层和AlGaAs缓冲层之间具有掺杂AlGaAs层的金属半导体FET
机译: 形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构