机译:以液相氧化的AlGaAs作为栅介质的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng-Kung University, I University Road, Tainan 701, Taiwan;
MOS; PHEMT; gate dielectric; liquid phase;
机译:低温液相沉积Al_2O_3栅绝缘体的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:InGaP / InGaAs金属氧化物半导体拟态高电子迁移率晶体管,以液相氧化InGaP作为栅极电介质
机译:采用介电辅助工艺的0.12μm双凹栅AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管的直流和微波特性比较研究
机译:具有液相氧化的InGaP栅极的InGaP / InGaAs / GaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:非合金PDGE欧姆接触的应用自对准栅极藻类/ INGAAS假形高电子迁移率晶体管
机译:alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟