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新型高效超高栅4H-SiC MESFET设计技术研究

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第一章 绪论

1.1 4H-SiC MESFET优势与研究意义

1.2 4H-SiC MESFET国内外研究现状

1.3本文创新点和主要内容

第二章 超高栅4H-SiC MESFET器件特性与模型

2.1超高栅4H-SiC MESFET器件特性

2.2 ISE TCAD工具及模型

2.3 ADS工具及模型

2.4小结

第三章 超高栅4H-SiC MESFET结构的ADS建模仿真

3.1超高栅器件结构的模型

3.2超高栅结构参数对PAE的影响

3.3超高栅4H-SiC MESFET结构的优化

3.4小结

第四章 高效率超高栅4H-SiC MESFET结构ISE仿真

4.1 IUU-MESFET结构

4.2直流特性分析

4.3射频特性分析

4.4两种器件结构的性能对比分析

4.5小结

第五章 总结与展望

5.1总结

5.2展望

参考文献

致谢

作者简介

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著录项

  • 作者

    胡梅;

  • 作者单位

    西安电子科技大学;

  • 授予单位 西安电子科技大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 贾护军;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 射流技术(流控技术);
  • 关键词

    超高; MESFET; 4H-SiC;

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