机译:新型双栅3.3 kV 4H-SiC JFET的设计与表征
Universite de Lyon, Ampere Laboratory, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne CEDEX, France;
Universite de Lyon, Ampere Laboratory, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne CEDEX, France;
Universite de Lyon, Ampere Laboratory, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne CEDEX, France;
Ion Beam Services, avenue Gaston Imbert prolongee, 13 790 Peynier, France;
Ion Beam Services, avenue Gaston Imbert prolongee, 13 790 Peynier, France;
Universite de Lyon, Ampere Laboratory, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne CEDEX, France;
junction field effect transistor; high voltage device; dual gate JFET; lateral channel; vertical channel;
机译:高性能1.2 kV,3.3 kV和5.0 kV 4H-SiC功率SBD的制造和表征
机译:平面JBS与Trench-MOS整流器的比较-基于4H-SiC的3.3 kV应用设计
机译:3.3 kV 4H-SiC MOSFET的设计与制造
机译:新型双门3.3 kV 4H-SIC JFET的设计与表征
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:Kv3.1和Kv3.3钾通道的消融破坏了体外和体内的丘脑皮层振荡。
机译:不同的JFET设计有关3.3 kV平面栅极碳化硅MOSFET的导通和短路功能
机译:4H-siC JFET晶片的电特性:极端温度IC设计的直流参数变化。