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机译:不同的JFET设计有关3.3 kV平面栅极碳化硅MOSFET的导通和短路功能
Ximing Chen; Xuan Li; Yafei Wang; Hong Chen; Caineng Zhou; Chao Zhang; Chengzhan Li; Xiaochuan Deng; Yudong Wu; Bo Zang;
机译:碳化硅功率MOSFET的温度相关短路能力
机译:现实生活中1.2 kV碳化硅(SiC)功率晶体管的短路耐受能力的比较评估
机译:用于短路故障保护的碳化硅MOSFET的关断模式
机译:具有浪涌和短路能力的坚固的3.3kV碳化硅MOSFET
机译:基于> 13 kV碳化硅MOSFET的固态变压器(SST)的设计,开发和控制。
机译:用于下一代穿透神经接口设计的非晶碳化硅平台
机译:3.3kV碳化硅MOSFET的栅极阻抗表征和性能评估
机译:电子级联电路,例如具有硅MOSFET和碳化硅JFET的器件,其第一组件栅极控制电压部分以低于其p-n结扩散电压的水平施加到第二组件栅极连接
机译:垂直型jfet限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型jfet限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:垂直型JFET限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型JFET限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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